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綜合新聞

Comprehensive news

第三屆全國寬禁帶半導體學術會議在西安成功召開
发布时间:2019/10/28 16:23:00  浏览次数:305

10月17-20日,第三屆全國寬禁帶半導體學術會議在西安召開。本次會議由中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業委員會中國電子學會電子材料分會共同主辦,西安交通大學等單位承辦

全國宽禁带半导体学术会议每两年举办一届,是国内宽禁带半导体领域最权威的学术会议之一。本次會議受到全國各界的广泛关注,共有包括多位中科院院士在內的、來自40多所國內著名高校、科研院所以及業界的專家學者、工程師430余人參會。大會共計收到學術交流論文300余篇,大會包含14篇大會主旨報告、61篇分會邀請報告、96篇分會口頭報告、130余篇張貼海報報告。本次會議國內各相關領域知名專家學者共濟一堂,深入了解、交流了宽禁带半导体及其器件研究领域的最新进展,为发展新的实验方法、理论并凝炼关键科学问题提供依据,全面推动以宽禁带半导体材料为基础的跨学科、跨领域的深入实质性的合作,促进我国宽禁带半导体材料及其器件研究平台的建设,并通过共同努力,拓展该类先进材料与器件的应用与成果轉化。

 省半導體院作爲主辦方之一,與其他主辦單位、承辦單位一起攜手合作,確保了會議的圓滿舉辦。我院有10位專家學者参加了学术交流,赵维博士代替陈志涛院长作了题为《AlGaN基紫外LED的缺陷调控及发光效率提升研究》报告,龚政教授作了《Micro-LED显示技术发展之路-单色显示vs全彩显示》的邀请报告,获得与会專家學者的热烈反响。我院学者与同行们进行了深入的交流,研发成果得到广泛的关注与认可,增强了我院与国内各高校、科研院所以及企业的沟通合作,进一步提升了我院的影响力与关注度。





(赵维 供稿)