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綜合新聞

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省半導體院參加第9屆亞洲-太平洋寬禁帶半導體國際學術會議
发布时间:2019/11/26 8:28:00  浏览次数:99

         1110日到1115日,9屆亞洲—太平洋寬禁帶半導體國際學術會議在日本沖繩科學技術大學召開,省半導體院李成果博士受邀參加,來自中、日、韓、新加坡等國的寬禁帶半導體材料與器件領域的專家、學者共同分享了寬禁帶半導體材料與器件研究的最新進展,討論了未來該領域的發展方向。

會上,李成果博士做了題爲Growth and characterizations of N-polar GaN by MOVPE”的報告,彙報了省半導體院在N極性GaN材料生長方面的最新進展。N極性GaN材料在高電壓功率器件及射頻器件應用方面相較于傳統Ga極性材料具有擊穿電壓高、導通電阻小以及尺寸微縮等優勢,近年來在功率器件尤其是射頻器件領域受到學術和産業界關注,但高質量N極性GaN材料生長一直是難點。

          李成果博士在藍寶石襯底上通過對晶體生長中過飽和度的調控,得到了表面平整、低雜質濃度及高結構質量的N極性GaN薄膜,晶體質量可與傳統藍寶石上Ga極性GaN薄膜相比較,其研究結果爲我院在N極性GaN功率與射頻器件的進一步研制奠定了良好基礎。