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GaN深刻蝕

GaN深刻蝕實驗

    在蓝宝石图形衬底上生长的GaN外延層通常具有6μm甚至更厚的厚度。在微小尺寸光電器件,例如微LED陣列、可見光通信器件等的制作過程中,實現相鄰單元之間的電學隔離尤爲重要。我院組建的工藝設備不僅覆蓋了完整的器件研發生産線,同時設備性能處于行業領先水平。

    深刻蝕的具体步骤为:

1.使用Oxford PlasmaPro 800Plus PECVD 沈積氧化矽;

2.使用ABM/6/350/NUV/DCCD/M半自動紫外光刻機進行曝光,定義刻蝕掩膜圖案;

3.使用Oxford PlasmaPro System133 ICP380 刻蝕氧化矽;

4.繼續使用Oxford PlasmaPro System133 ICP380 刻蝕GaN外延層;

5.使用BOE緩沖氫氟酸去除表面的氧化矽掩膜,最終得到分立的GaN陣列。

上圖即爲使用ICP电感耦合等离子刻蝕得到的分立器件单元平面与截面图。实现了微小发光阵列深刻蝕隔离,材料表面光滑无损伤,侧壁形貌陡直,蓝宝石图形衬底完全显露清晰可见。