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AlGaN/GaN HEMTs器件芯片研发

     目前全球40%的能源作为电能被消耗,而电能传输转换最大耗散在于半导体功率器件,新型功率开关器件在工业控制、交通、通讯和国防等诸多领域具有重大应用价值。

     与传统Si相比,GaN基半导体具有禁带宽度大、饱和飘移速率高、耐高温等特点,且由其形成的异质结构具有很高的二维电子气浓度和载流子迁移率,在开关速率、击穿电压和系统效率等方面拥有优异性能。GaN基功率器件能承载更高功率密度,有更高能量转换效率,可使整个能量变换装置小型化、轻量化,降低系统成本

    廣東省半導體産業技術研究院大力发展新型高效GaN基半导体功率电子关键元器件,目前已成功研制高性能AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管器件。

    我院可以为研究机构及公司提供定制化的AlGaN/GaN HEMTs器件加工服务,包括源漏欧姆接触、高质量栅极介质层、AlGaN势垒层刻蚀等关键工艺参数设计及技术开发。

典型AlGaN/GaN HEMTs器件特性如下图所示: