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芯片設備

Chip equipment

金屬電子束蒸發台

设备名称:金屬電子束蒸發台

設備廠商:美國德儀


用途:蒸發Ti,Al,Ni,Cr,Pt,Au,Ag、Mo等金屬


技術指標:

1. 样品尺寸:5*2英寸、1*4英寸、1*6英寸

2. 基板加热温度: 室温-500℃可调,控温精度1℃

3. 极限真空: 2×10-8 torr

蒸發均勻性:<±3%

工藝特點:

一爐可以依次蒸鍍8鍾不同金屬;

可以蒸鍍高熔點金屬Pt、W等;

帶有預腔室,保證腔體高真空,形成高質量薄膜;

帶有Ar等離子清洗功能,保證薄膜和基底高粘附性





電子束蒸發2nmNi,Ra=0.099nm



高速率電子束蒸發Ti,粗糙度0.509nm




可以精確控制蒸發薄膜的厚度,2nm的薄膜厚度均勻性爲±5%