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芯片設備

Chip equipment

磁控濺射台

設備名稱:磁控濺射台

設備廠商:美國科特


工作原理:高能粒子撞擊具有高純度的靶材固定平板,通過物理過程轟擊出原子,這些被撞擊出的原子穿過真空,最後澱積在樣品表面。

用途:濺射Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Ti、W、Pd、Pt、Zn等金屬薄膜,AlN、ITO、SiN、SiO2、TiO2、ZnO、IGZO等化合物材料。



技術指標:

1. 样品尺寸:5*2英寸、1*4英寸、1*6英寸

2. 基板加热温度: 室温-350℃可调,控温精度1℃

3.配備四台濺射靶槍,其中一個靶槍支持強磁性材料

4. 300W射频电源,2kW 直流脉冲电源,带有等离子清洗功能

5. 蒸发均匀性:2英寸范围内<±3% ;6英寸范围内±5%


工藝特點:

1. 具有淀积并保持复杂合金原组分的能力;

2. 材料适用范围广,几乎所有固体材料均可适用,特别是能够淀积高温融化和难熔金属;

3. 溅射工艺的可控性和重复性好;

4. 使用磁控溅射沉积金属薄膜,其致密度、颗粒度、表面粗糙度以及衬底结合力均好于真空蒸发沉积薄膜;

5. 支持一个工艺中顺序溅射三种金属材料;顺序溅射两种金属和一种氧化物及化合物材料;共溅射两种金属材料;反应溅射。






磁控濺射Ti,粗糙度3.06nm



磁控濺射SiO2,粗糙度0.841nm



可以精確控制ZnO的晶型結構